产品种类：MOSFET

晶体管极性：N-Channel

汲极/源极击穿电压：30 V

闸/源击穿电压：+/- 12 V

漏极连续电流：17.5 A

导通电阻：9 mOhms

配置：Single

最大工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：PowerPAK SO-8

封装：Reel

商标：Vishay / Siliconix

下降时间：9 ns

最小工作温度：- 55 C

功率耗散：5 W

上升时间：60 ns

工厂包装数量：3000

典型关闭延迟时间：28 ns

零件号别名：SI7684DP-E3

ROHS： 含铅