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SI7456DP-T1-GE3 /Single N-Channel 100 V 0.025 Ohm Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
SI7456DP-T1-GE3的规格信息
SI7456DP-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.7A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：44nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：1.9W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：25 毫欧 @ 9.3A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK® SO-8

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：100V

连续漏极电流ID：9.3A

漏源极导通电阻RDS(ON)：25mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SI7456DP-T1-GE3
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现代芯城（深圳）科技有限公司SI7456DP-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI7456DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI7456DP-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
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深圳市天卓伟业电子有限公司SI7456DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司SI7456DP-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI7456DP-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市星宇佳科技有限公司SI7456DP-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI7456DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
集好芯城SI7456DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市芯泽盛世科技有限公司SI7456DP-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市高捷芯城科技有限公司SI7456DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SI7456DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI7456DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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芯莱德电子（香港）有限公司SI7456DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市赛美科科技有限公司SI7456DP-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市科思奇电子科技有限公司SI7456DP-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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SI7456DP-T1-GE3MOSFET 100V 9.3A 5.2W 25mohm @ 10VVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO294.65 Kbytes共11页SI7456DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SI7456DP-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO291.46 Kbytes共11页SI7456DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SI7456DP-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.7A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 9.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.9W 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO293.15 Kbytes共11页SI7456DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SI7456DP-T1-GE3的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		SI7456DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 9.3A 5.2W 25mohm @ 10V3000+:￥4.94
6000+:￥4.75
15000+:￥4.57
30000+:￥4.5001
75000+:￥4.391+:￥10.77
10+:￥8.61
100+:￥6.9
500+:￥6.89
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6000+:￥5.87
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI7456DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 9.3A 5.2W 25mohm @ 10V3000+:￥4.94
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI7456DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8$1.90000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI7456DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 9.3A 5.2W 25mohm @ 10V3000+:￥4.94
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Mouser 贸泽电子		SI7456DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V 9.3A 5.2W 25mohm @ 10V1:¥15.9104
10:¥13.221
100:¥10.2943
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI7456DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 9.3A 5.2W 25mohm @ 10V3000+:￥4.94
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SI7456DP-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.7A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 9.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.9W 类型：N沟道1+:￥15.37
10+:￥13.22
30+:￥12.82
100+:￥12.42
500+:￥12.25
1000+:￥12.03
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