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SI6933DQ-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI6933DQ-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):-

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 3.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA(最小)

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:1W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

供应商器件封装:8-TSSOP

供应商SI6933DQ-T1-E3
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SI6933DQ-T1-E3Siliconix / VishayP-CHAN 30V TRENCH 32M CELL MOSFET D+3000:$1.84
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