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SI5997DU-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI5997DU-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):54 毫欧 @ 3A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):430pF @ 15V

功率 - 最大值:10.4W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® CHIPFET? 双

供应商器件封装:PowerPAK® ChipFet 双

供应商SI5997DU-T1-GE3
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI5997DU-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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SI5997DU-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥1.741+:¥3.77
10+:¥2.97
100+:¥2.25
500+:¥1.91
1000+:¥1.78
3000+:¥1.78
6000+:¥1.64
9000+:¥1.62
24000+:¥1.551+:¥5.0101
10+:¥3.98
100+:¥3.58
250+:¥3.26
500+:¥2.78
1000+:¥2.22
3000+:¥1.9901
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SI5997DU-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥1.74
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3000+:¥1.9901
9000+:¥1.91
15000+:¥1.83
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SI5997DU-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥1.741+:¥3.77
10+:¥2.97
100+:¥2.25
500+:¥1.91
1000+:¥1.78
3000+:¥1.78
6000+:¥1.64
9000+:¥1.62
24000+:¥1.55