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SI5515CDC-T1-E3 /MOSFET -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
SI5515CDC-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:ChipFET-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:4 A

Rds On-漏源导通电阻:36 mOhms, 100 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:11.3 nC, 11 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.1 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI54

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:22.4 S, 9.5 S

下降时间:10 ns, 6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns, 32 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns, 25 ns

典型接通延迟时间:7 ns, 10 ns

零件号别名:SI5515CDC-E3

单位重量:85 mg

供应商SI5515CDC-T1-E3
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SI5515CDC-T1-E3N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO167.27 Kbytes共12页SI5515CDC-T1-E3的PDF下载地址SI3586DV_08,SI5509DC_08,SI5513CDC,SI5509DC,SI1016X_08,SI1035X_08,SI4511DY_06,SI5945DU,SI1913EDH_08,SI3493BDV
SI5515CDC-T1-E3N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO276.66 Kbytes共16页SI5515CDC-T1-E3的PDF下载地址
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SI5515CDC-T1-E3Vishay半导体 MOSFET 20V 4.0A 3.1W 36/100mohm @ 4.5V FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥2.211+:¥4.81
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SI5515CDC-T1-E3Vishay SiliconixN- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.3012
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SI5515CDC-T1-E3Vishay半导体 MOSFET 20V 4.0A 3.1W 36/100mohm @ 4.5V FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥2.21
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
SI5515CDC-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET1:¥6.3732
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