制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:ChipFET-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:4 A, 3.7 A

Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms, 140 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.12 W, 3.1 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:3.05 mm

系列:SI54

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:1.65 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:5 S, 3.5 S

下降时间:25 ns, 10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:80 ns, 60 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 ns, 10 ns

典型接通延迟时间:15 ns, 30 ns

单位重量:85 mg