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SI5513CDC-T1-E3 /MOSFET 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
SI5513CDC-T1-E3的规格信息
SI5513CDC-T1-E3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:ChipFET-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:4 A, 3.7 A

Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms, 150 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:4.2 nC, 5.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.1 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:3.05 mm

系列:Si5513CDC

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:1.65 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:12 S, 5 S

下降时间:8 ns, 8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns, 40 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:16 ns, 18 ns

典型接通延迟时间:8 ns, 19 ns

零件号别名:SI5513CDC-E3

单位重量:85 mg

供应商SI5513CDC-T1-E3
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深圳市坤融电子有限公司SI5513CDC-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI5513CDC-T1-E3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
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18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
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集好芯城SI5513CDC-T1-E3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI5513CDC-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SI5513CDC-T1-E3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SI5513CDC-T1-E3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI5513CDC-T1-E3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
万三科技（深圳）有限公司SI5513CDC-T1-E3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516，18818598465
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深圳市惊羽科技有限公司SI5513CDC-T1-E3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回		彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
深圳市威雅利发展有限公司SI5513CDC-T1-E3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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SI5513CDC-T1-E3N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO144.83 Kbytes共12页SI5513CDC-T1-E3的PDF下载地址SI3586DV_08,SI5509DC_08,SI5509DC,SI1016X_08,SI1035X_08,SI4511DY_06,SI5945DU,SI1913EDH_08,SI3493BDV,SI1029X
SI5513CDC-T1-E3N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO274.29 Kbytes共16页SI5513CDC-T1-E3的PDF下载地址无
SI5513CDC-T1-E3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SI5513CDC-T1-E3Vishay半导体 MOSFET 20V 4.0/3.7A 3.1W 55/150mohm @ 4.5V FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥1.531+:￥3.65
10+:￥2.73
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元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		SI5513CDC-T1-E3Vishay SemiconductorsN- AND P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET3,000 : $0.22
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		SI5513CDC-T1-E3Vishay SiliconixN- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.1999
14,999 : $0.1855
29,999 : $0.1815
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI5513CDC-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-83,000 : $0.20925
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI5513CDC-T1-E3Vishay半导体 MOSFET 20V 4.0/3.7A 3.1W 55/150mohm @ 4.5V FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥1.53
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI5513CDC-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8$0.65000
元器件资料网-Future Electronics的LOGO
Future Electronics		SI5513CDC-T1-E3Vishay IntertechnologiesN / P-Ch 20 V 4 A 45/120 mOhm 3.1 W (D - S) Mosfet - 1206-8 CHIPFET
RoHS : Compliant		3,000 : $0.2044
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SI5513CDC-T1-E3Vishay半导体 MOSFET 20V 4.0/3.7A 3.1W 55/150mohm @ 4.5V FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥1.531+:￥3.65
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI5513CDC-T1-E3Vishay半导体 MOSFET 20V 4.0/3.7A 3.1W 55/150mohm @ 4.5V FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥1.531+:￥3.65
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI5513CDC-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET1:¥4.9155
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100:¥2.7798
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Rutronik		SI5513CDC-T1-E3Vishay IntertechnologiesCMOS 20V 4A 55mOhm ChipFET RoHSconf价格未公开
元器件资料网-Tti的LOGO
Tti		SI5513CDC-T1-E3Vishay Intertechnologies3000+:￥1.531+:￥3.65
10+:￥2.73
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立创商城		SI5513CDC-T1-E3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A,3.7A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道和P沟道1+:￥5.51
10+:￥5.37
30+:￥4.22
100+:￥4.15
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