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SI5476DU-T1-GE3 /N Chan, 60V, 12A, 0.034OHMS @ 10-V,PowerPAK ChipFET Single
SI5476DU-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):12A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):32nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1100pF @ 30V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):3.1W(Ta),31W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):34 毫欧 @ 4.6A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerVDFN

封装形式Package:PowerPak-8

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:60V

连续漏极电流ID:7A

漏源极导通电阻RDS(ON):34mOhms

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SI5476DU-T1-GE3
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集好芯城SI5476DU-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI5476DU-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城SI5476DU-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SI5476DU-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市高捷芯城科技有限公司SI5476DU-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI5476DU-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI5476DU-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI5476DU-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI5476DU-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市星宇佳科技有限公司SI5476DU-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI5476DU-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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深圳市华芯盛世科技有限公司SI5476DU-T1-GE3深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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万三科技(深圳)有限公司SI5476DU-T1-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516,18818598465
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深圳市芯福林电子科技有限公司SI5476DU-T1-GE3深圳市福田区华强北路1002号赛格广场66楼6608B13602549709
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SI5476DU-T1-GE3N-Channel 60-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO144.87 Kbytes共7页SI5476DU-T1-GE3的PDF下载地址SI7452DP,SI1022R_08,SUD15N06-90L_07,SUP75N06-08,SI1026X_08,SI4946EY,SI1330EDL,SUP85N06,SI1926DL,SI2308BDS
SI5476DU-T1-GE3的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
SI5476DU-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 12A 31W 34mohm @ 10V3000+:¥3.87
6000+:¥3.68
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Avnet Express
SI5476DU-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.5273
14,999 : $0.5083
29,999 : $0.497
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Avnet Express
SI5476DU-T1-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $0.676
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SI5476DU-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 12A 31W 34mohm @ 10V3000+:¥3.87
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24000+:¥3.553000+:¥5.12
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Digi-Key 得捷电子
SI5476DU-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET$1.38000
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Digi-Key 得捷电子
SI5476DU-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET10 : $1.155
1 : $1.29
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Digi-Key 得捷电子
SI5476DU-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 12A 31W 34mohm @ 10V3000+:¥3.87
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Future Electronics
SI5476DU-T1-GE3Vishay IntertechnologiesN Chan, 60V, 12A, 0.034OHMS @ 10-V,PowerPAK ChipFET Single
RoHS : Compliant
3,000 : $0.5611
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Mouser 贸泽电子
SI5476DU-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET1:¥10.2152
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.5596
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3,000:¥4.3844
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Mouser 贸泽电子
SI5476DU-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 12A 31W 34mohm @ 10V3000+:¥3.87
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Rutronik
SI5476DU-T1-GE3Vishay IntertechnologiesN-CH 60V 12A 34mOhm ChipFET RoHSconf价格未公开
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立创商城
SI5476DU-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:34mΩ @ 4.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道1+:¥11.99
10+:¥11.69
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