FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：55nC @ 10V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1600pF @ 10V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），31W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 7.6A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：PowerPAK® ChipFET 单通道
封装/外壳：PowerPAK® CHIPFET™ 单
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs