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SI4833BDY-T1-GE3 /Si4833BDY Series 30 V 4.6 A 0.068 Ohm Surface Mount P-Channel Mosfet - SO-8
SI4833BDY-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

Vgs(最大值):±20V

封装形式Package:SO

极性Polarity:P-CH

漏源极击穿电压VDSS:30V

连续漏极电流ID:3.8A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SI4833BDY-T1-GE3
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