SI4833BDY-T1-GE3
/Si4833BDY Series 30 V 4.6 A 0.068 Ohm Surface Mount P-Channel Mosfet - SO-8
SI4833BDY-T1-GE3的规格信息
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
Vgs(最大值):±20V
封装形式Package:SO
极性Polarity:P-CH
漏源极击穿电压VDSS:30V
连续漏极电流ID:3.8A
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
SI4833BDY-T1-GE3
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SI4833BDY-T1-GE3 | MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC | Vishay Siliconix |  | 200.80 Kbytes | 共11页 |  | 无 |
SI4833BDY-T1-GE3的全球分销商及价格
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