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SI4812BDY-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI4812BDY-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:LITTLE FOOT®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.3A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 9.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:1.4W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

其它名称:SI4812BDY-T1-GE3TRSI4812BDYT1GE3

供应商SI4812BDY-T1-GE3
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陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SI4812BDY-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI4812BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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SI4812BDY-T1-GE3VishayFET - 单 LITTLE FOOT® 分立半导体产品2500+:¥3.66
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62500+:¥3.141+:¥7.25
10+:¥5.8
100+:¥4.49
500+:¥3.97
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SI4812BDY-T1-GE3Vishay SiliconixN-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTKY - Tape and Reel2,500 : $0.5047
12,499 : $0.4815
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SI4812BDY-T1-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel141 : $0.6141
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SI4812BDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC10 : $1.094
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SI4812BDY-T1-GE3Vishay SiliconixN-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTKY
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