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SI4774DY-T1-GE3 / MOSFET 30 Volts 16 Amps 5 Watts
SI4774DY-T1-GE3的规格信息
SI4774DY-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

商标:Vishay Semiconductors

Id-连续漏极电流:16 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:7.9 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

Qg-栅极电荷:20.3 nC

Pd-功率耗散:5 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-8

封装:Reel

配置:Single with Schottky Diode

下降时间:9 ns

正向跨导 - 最小值:43 S

上升时间:13 ns

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:14 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:SI4774DY-GE3

供应商SI4774DY-T1-GE3
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