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SI4812BDY-E3 / MOSFET
SI4812BDY-E3的规格信息
SI4812BDY-E3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:7.3 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:16 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.4 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-Narrow-8

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:13 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:13 ns

商标名:Little Foot Plus

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:15 ns

供应商SI4812BDY-E3
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