系列：SkyFET®，TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：11.9A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：17.5nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：521pF @ 15V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：4.1W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：16 毫欧 @ 10A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TA）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：11.9A

漏源极导通电阻RDS(ON)：13mOhms

无铅情况/RoHs：否