SI4800BDY-T1-GE3的供应商，SI4800BDY-T1-GE3规格参数，SI4800BDY-T1-GE3的PDF资料

SI4800BDY-T1-GE3 /Si4800BDY Series N-Channel 30 V 0.0185 Ohm Reduced Qg Fast Switching Mosfet-SO-8

SI4800BDY-T1-GE3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6.5A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.8V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：13nC @ 5V

Vgs（最大值）：±25V

功率耗散（最大值）：1.3W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：18.5 毫欧 @ 9A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：6.5A

漏源极导通电阻RDS(ON)：18.5mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

SI4800BDY-T1-GE3

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市威雅利发展有限公司	SI4800BDY-T1-GE3	华强北路1019号华强广场A16楼	18124047120 18124047120	韩雪	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SI4800BDY-T1-GE3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	Si4800BDY-T1-GE3	www.nowchip.com	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	SI4800BDY-T1-GE3	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
集好芯城	SI4800BDY-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
集好芯城	SI4800BDY-T1-GE3	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	SI4800BDY-T1-GE3	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳市坤融电子有限公司	Si4800BDY-T1-GE3	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市百域芯科技有限公司	SI4800BDY-T1-GE3	世纪汇都会轩4507	0755-82788062 18126442734	梁小姐	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SI4800BDY-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SI4800BDY-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市兴中芯科技有限公司	SI4800BDY-T1-GE3	深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A65	13113670037 13113670037	唐先生	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	SI4800BDY-T1-GE3	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SI4800BDY-T1-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市赛美科科技有限公司	SI4800BDY-T1-GE3	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	SI4800BDY-T1-GE3	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	SI4800BDY-T1-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	SI4800BDY-T1-GE3	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	SI4800BDY-T1-GE3	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市骏凯诚科技有限公司	SI4800BDY-T1-GE3	深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室	0755-82731802 13652405995	朱小姐	询价

SI4800BDY-T1-GE3及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
SI4800BDY-T1-GE3	MOSFET 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V	Vishay / Siliconix	181.45 Kbytes	共8页	无
SI4800BDY-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC	Vishay Siliconix	178.46 Kbytes	共8页	无
SI4800BDY-T1-GE3	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：18.5mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.3W 类型：N沟道	VISHAY(威世)	95.92 Kbytes	共6页	无

SI4800BDY-T1-GE3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	SI4800BDY-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V	1+:￥5.17 10+:￥4.55 25+:￥4.02 100+:￥3.5001 250+:￥3.04 500+:￥2.59 1000+:￥2.081+:￥5.04 10+:￥4.06 100+:￥3.12 500+:￥2.76 1000+:￥2.6899 2500+:￥2.57 5000+:￥2.47 10000+:￥2.41 25000+:￥2.33012500+:￥1.231+:￥2.79
ChipOneStop	SI4800BDY-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V	1+:￥5.17 10+:￥4.55 25+:￥4.02 100+:￥3.5001 250+:￥3.04 500+:￥2.59 1000+:￥2.081+:￥5.04 10+:￥4.06 100+:￥3.12 500+:￥2.76 1000+:￥2.6899 2500+:￥2.57 5000+:￥2.47 10000+:￥2.41 25000+:￥2.33012500+:￥1.23
Digi-Key 得捷电子	SI4800BDY-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V	1+:￥5.17 10+:￥4.55 25+:￥4.02 100+:￥3.5001 250+:￥3.04 500+:￥2.59 1000+:￥2.08
Mouser 贸泽电子	SI4800BDY-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V	1+:￥5.17 10+:￥4.55 25+:￥4.02 100+:￥3.5001 250+:￥3.04 500+:￥2.59 1000+:￥2.081+:￥5.04 10+:￥4.06 100+:￥3.12 500+:￥2.76 1000+:￥2.6899 2500+:￥2.57 5000+:￥2.47 10000+:￥2.41 25000+:￥2.3301
Mouser 贸泽电子	SI4800BDY-T1-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V	1:¥6.6896 10:¥5.537 100:¥4.2488 500:¥3.6612 1,000:¥2.8815 2,500:¥2.8815
Verical	SI4800BDY-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V	1+:￥5.17 10+:￥4.55 25+:￥4.02 100+:￥3.5001 250+:￥3.04 500+:￥2.59 1000+:￥2.081+:￥5.04 10+:￥4.06 100+:￥3.12 500+:￥2.76 1000+:￥2.6899 2500+:￥2.57 5000+:￥2.47 10000+:￥2.41 25000+:￥2.33012500+:￥1.231+:￥2.791+:￥1.34
立创商城	SI4800BDY-T1-GE3	VISHAY(威世)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：18.5mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.3W 类型：N沟道	1+:￥1.0827 10+:￥0.8201 30+:￥0.7719 100+:￥0.7236 500+:￥0.7022 1000+:￥0.6916

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