FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.6V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：114nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：4780pF @ 15V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.5 毫欧 @ 10A，10V

工作温度：-55°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SOIC

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs