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SI4410DY-T1 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.1W(Tc) 类型:N沟道
SI4410DY-T1的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻12mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)4.1W(Tc)

类型N沟道

供应商SI4410DY-T1
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SI4410DY-T1-REVAVishay Siliconix420 : $0.204
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SI4410DY-T1-REVAUnknown MOSFET Transistor, N-Channel, SO20 : $0.675
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SI4410DY-T1-REVAVishay Siliconix MOSFET Transistor, N-Channel, SO2,463 : $0.3125
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SI4410DY-T1VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.1W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.2223
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