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SI4410DY-T1-REVA /
SI4410DY-T1-REVA的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类MOSFET

晶体管极性N-Channel

汲极/源极击穿电压30 V

闸/源击穿电压+/- 20 V

漏极连续电流10 A

电阻汲极/源极 RDS(导通)13.5 mOhms

配置Single

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体SOIC-8 Narrow

封装Reel

下降时间20 ns

最小工作温度- 55 C

功率耗散2.5 W

上升时间9 ns

工厂包装数量2500

商标名TrenchFET

典型关闭延迟时间70 ns

供应商SI4410DY-T1-REVA
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深圳市坤融电子有限公司SI4410DY-T1-REVA航都大厦10I0755-23990975
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SI4410DY-T1-REVAN-Channel 30-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO61.1 Kbytes共4页SI4410DY-T1-REVA的PDF下载地址SI4830DY,SUM110N03,SI4832DY,72893,SI7886DP,SUM110N03-03P,SI4330DY,SIF912EDZ,SI4348DY,SI7894ADP
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