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SI4410BDY-E3 / Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N
SI4410BDY-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

最大门源电压:±20

欧盟RoHS指令:Compliant

最高工作温度:150

通道模式:Enhancement

标准包装名称:SOIC

包装高度:1.55(Max)

安装:Surface Mount

最大功率耗散:1400

渠道类型:N

最大漏源电阻:13.5@10V

最低工作温度:-55

最大漏源电压:30

每个芯片的元件数:1

包装宽度:4(Max)

供应商封装形式:SOIC N

包装长度:5(Max)

PCB:8

最大连续漏极电流:7.5

引脚数:8

铅形状:Gull-wing

单位包:0

最小起订量:1

供应商SI4410BDY-E3
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北京星泰恒利电子科技有限公司SI4410BDY-E3北京海淀区中关村大街32号新中发b1623010-62640566
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SI4410BDY-E3N-Channel 30-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO98.84 Kbytes共6页SI4410BDY-E3的PDF下载地址SI7842DP,SI3424DV,SI1304BDL,SI4914DY,SI4925BDY,SI6955ADQ,SI6862DQ,GF6968AD,2SK3592-01L,STD20NF06L
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