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SI4412DY-T1-E3 /
SI4412DY-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类MOSFET

晶体管极性N-Channel

汲极/源极击穿电压30 V

闸/源击穿电压+/- 20 V

漏极连续电流7 A

电阻汲极/源极 RDS(导通)28 mOhms

配置Single

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体SOIC-8 Narrow

封装Reel

下降时间6 ns

最小工作温度- 55 C

功率耗散2.5 W

上升时间6 ns

工厂包装数量2500

典型关闭延迟时间26 ns

零件号别名SI4412DY-E3

供应商SI4412DY-T1-E3
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SI4412DY-T1-E3N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO229.55 Kbytes共8页SI4412DY-T1-E3的PDF下载地址
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SI4412DY-T1-E3Vishay Siliconix 7000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET76 : $0.477
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