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SI4401BDY-T1-GE3 /MOSFET 40V 10.5A 2.9W 14mohm @ 10V
SI4401BDY-T1-GE3的规格信息
SI4401BDY-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Id-连续漏极电流:10.5 A

Rds On-漏源导通电阻:14 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:40 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.9 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI4

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:26 S

下降时间:47 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:97 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:SI4401BDY-GE3

单位重量:187 mg

供应商SI4401BDY-T1-GE3
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现代芯城（深圳）科技有限公司SI4401BDY-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4401BDY-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城SI4401BDY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI4401BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI4401BDY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI4401BDY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI4401BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI4401BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI4401BDY-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI4401BDY-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI4401BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
集好芯城SI4401BDY-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI4401BDY-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI4401BDY-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI4401BDY-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
深圳诚思涵科技有限公司Si4401BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI4401BDY-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市芯奕科技有限公司SI4401BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市骏凯诚科技有限公司SI4401BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995		朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI4401BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
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SI4401BDY-T1-GE3MOSFET 40V 10.5A 2.9W 14mohm @ 10VVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO182.10 Kbytes共8页SI4401BDY-T1-GE3的PDF下载地址无
SI4401BDY-T1-GE3MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOICVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO179.10 Kbytes共8页SI4401BDY-T1-GE3的PDF下载地址无
SI4401BDY-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.7A 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO181.70 Kbytes共8页SI4401BDY-T1-GE3的PDF下载地址无
SI4401BDY-T1-GE3的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		SI4401BDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 10.5A 2.9W 14mohm @ 10V2500+:￥4.75
5000+:￥4.5199
12500+:￥4.3499
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10+:￥7.94
100+:￥6.38
500+:￥6.38
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI4401BDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 10.5A 2.9W 14mohm @ 10V2500+:￥4.75
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI4401BDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 10.5A 2.9W 14mohm @ 10V2500+:￥4.75
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI4401BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 10.5A 2.9W 14mohm @ 10V1:¥14.5205
10:¥12.0684
100:¥9.379
500:¥8.2264
1,000:¥6.8139
2,500:¥6.8139
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI4401BDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 10.5A 2.9W 14mohm @ 10V2500+:￥4.75
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12500+:￥4.3499
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SI4401BDY-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.7A 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：P沟道1+:￥8.65
10+:￥6.38
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100+:￥5.55
500+:￥5.36
1000+:￥5.27
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