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SI4378DY-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI4378DY-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.7 毫欧 @ 25A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):55nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8500pF @ 10V

功率 - 最大值:1.6W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

其它名称:SI4378DY-T1-GE3TRSI4378DYT1GE3

供应商SI4378DY-T1-GE3
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13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI4378DY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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SI4378DY-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOICVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO161.35 Kbytes共8页SI4378DY-T1-GE3的PDF下载地址
SI4378DY-T1-GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):19A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.8V @ 250uA 漏源导通电阻:2.7mΩ @ 25A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.6W 类型:N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO161.35 Kbytes共8页SI4378DY-T1-GE3的PDF下载地址
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SI4378DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 25A 3.5W 2.7mohm @ 4.5V2500+:¥5.64
5000+:¥5.44
12500+:¥5.23
25000+:¥5.15
62500+:¥5.021+:¥12.51
10+:¥10.02
100+:¥8
500+:¥8
1000+:¥7.47
2500+:¥6.8599
5000+:¥6.79
10000+:¥6.5399
25000+:¥6.491+:¥10.98
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Digi-Key 得捷电子
SI4378DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 25A 3.5W 2.7mohm @ 4.5V2500+:¥5.64
5000+:¥5.44
12500+:¥5.23
25000+:¥5.15
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SI4378DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 25A 3.5W 2.7mohm @ 4.5V2500+:¥5.64
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100+:¥8
500+:¥8
1000+:¥7.47
2500+:¥6.8599
5000+:¥6.79
10000+:¥6.5399
25000+:¥6.49
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立创商城
SI4378DY-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):19A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.8V @ 250uA 漏源导通电阻:2.7mΩ @ 25A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.6W 类型:N沟道1+:¥8.05
10+:¥7.84
30+:¥7.71
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