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SI4386DY-T1-E3 /Single N-Channel 30 V 7 mOhms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
SI4386DY-T1-E3的规格信息
SI4386DY-T1-E3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：11A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：18nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：1.47W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：7 毫欧 @ 16A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：11A

漏源极导通电阻RDS(ON)：7mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SI4386DY-T1-E3
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现代芯城（深圳）科技有限公司Si4386DY-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4386DY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城SI4386DY-T1-E3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI4386DY-T1-E3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI4386DY-T1-E3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI4386DY-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SI4386DY-T1-E3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI4386DY-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI4386DY-T1-E3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI4386DY-T1-E3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市坤融电子有限公司Si4386DY-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI4386DY-T1-E3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI4386DY-T1-E3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
深圳诚思涵科技有限公司SI4386DY-T1-E3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市兴中芯科技有限公司SI4386DY-T1-E3深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A6513113670037
13113670037		唐先生Email:chenglong@xzxic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI4386DY-T1-E3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI4386DY-T1-E3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI4386DY-T1-E3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI4386DY-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市宸远科技有限公司Si4386DY-T1-E3深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
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SI4386DY-T1-E3及相关型号的PDF资料
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SI4386DY-T1-E3MOSFET 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10VVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO168.37 Kbytes共8页SI4386DY-T1-E3的PDF下载地址无
SI4386DY-T1-E3MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOICVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO165.18 Kbytes共8页SI4386DY-T1-E3的PDF下载地址无
SI4386DY-T1-E3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.47W 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO166.89 Kbytes共8页SI4386DY-T1-E3的PDF下载地址无
SI4386DY-T1-E3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2		SI4386DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V2500+:￥3.04
5000+:￥2.89
12500+:￥2.78
25000+:￥2.7
62500+:￥2.611+:￥9.44
10+:￥7.5399
100+:￥5.8
500+:￥5.14
1000+:￥5.0299
2500+:￥4.8
5000+:￥4.62
10000+:￥4.5001
25000+:￥4.42500+:￥3.512500+:￥3.02991+:￥5.57
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI4386DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V2500+:￥3.04
5000+:￥2.89
12500+:￥2.78
25000+:￥2.7
62500+:￥2.611+:￥9.44
10+:￥7.5399
100+:￥5.8
500+:￥5.14
1000+:￥5.0299
2500+:￥4.8
5000+:￥4.62
10000+:￥4.5001
25000+:￥4.42500+:￥3.51
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI4386DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V2500+:￥3.04
5000+:￥2.89
12500+:￥2.78
25000+:￥2.7
62500+:￥2.61
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SI4386DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V2500+:￥3.04
5000+:￥2.89
12500+:￥2.78
25000+:￥2.7
62500+:￥2.611+:￥9.44
10+:￥7.5399
100+:￥5.8
500+:￥5.14
1000+:￥5.0299
2500+:￥4.8
5000+:￥4.62
10000+:￥4.5001
25000+:￥4.42500+:￥3.512500+:￥3.0299
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI4386DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V2500+:￥3.04
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10000+:￥4.5001
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI4386DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V1:¥12.3735
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9834
2,500:¥6.9834
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SI4386DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V2500+:￥3.04
5000+:￥2.89
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25000+:￥2.7
62500+:￥2.611+:￥9.44
10+:￥7.5399
100+:￥5.8
500+:￥5.14
1000+:￥5.0299
2500+:￥4.8
5000+:￥4.62
10000+:￥4.5001
25000+:￥4.42500+:￥3.512500+:￥3.02991+:￥5.571+:￥3.85
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SI4386DY-T1-E3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.47W 类型：N沟道1+:￥7.45
10+:￥5.61
30+:￥5.27
100+:￥4.7821
500+:￥4.6366
1000+:￥4.5687
SI4386DY-T1-E3的相关型号
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