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SI4386DY-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI4386DY-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：2,500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：7 毫欧 @ 16A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：18nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-

功率 - 最大值：1.47W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

其它名称：SI4386DY-T1-GE3TR

供应商SI4386DY-T1-GE3
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现代芯城（深圳）科技有限公司SI4386DY-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司SI4386DY-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市大源实业科技有限公司SI4386DY-T1-GE3深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI4386DY-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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SI4386DY-T1-GE3MOSFET 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10VVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO168.37 Kbytes共8页SI4386DY-T1-GE3的PDF下载地址无
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Arrow(艾睿)		SI4386DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2500+:￥3.041+:￥9.44
10+:￥7.5399
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1000+:￥5.0299
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Digi-Key 得捷电子		SI4386DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 11A 8SO$1.47000
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Mouser 贸泽电子		SI4386DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2500+:￥3.041+:￥9.44
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