SI4356ADY-T1-GE3
/MOSFET 30V 26A 6.5W 5.5mohm @ 10V
SI4356ADY-T1-GE3的规格信息
产品种类:MOSFET
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:+/- 12 V
漏极连续电流:17 A
导通电阻:5.5 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow
封装:Reel
商标:Vishay / Siliconix
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:3 W
工厂包装数量:2500
零件号别名:SI4356ADY-GE3
ROHS: 含铅
SI4356ADY-T1-GE3
SI4356ADY-T1-GE3及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
SI4356ADY-T1-GE3 | MOSFET 30V 26A 6.5W 5.5mohm @ 10V | Vishay / Siliconix |  | 103.30 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
SI4356ADY-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | SI4356ADY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 26A 6.5W 5.5mohm @ 10V | 2,500:¥8.8366 5,000:¥8.5315 10,000:¥8.1473
|