产品种类：MOSFET

晶体管极性：P-Channel

汲极/源极击穿电压：12 V

闸/源击穿电压：+/- 8 V

漏极连续电流：2.4 A

导通电阻：87 mOhms

配置：Dual

最大工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：TSOP-6

封装：Reel

商标：Vishay / Siliconix

下降时间：60 ns

最小工作温度：- 55 C

功率耗散：830 mW

上升时间：60 ns

工厂包装数量：3000

典型关闭延迟时间：55 ns

零件号别名：SI3973DV-E3

ROHS： 无铅