• 信息最全的元器件资料网
一键搜索元器件图片、规格参数、供应商、PDF资料、价格
SI3911DV-T1 /
SI3911DV-T1的规格信息
暂无图片

图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类MOSFET

晶体管极性P-Channel

汲极/源极击穿电压20 V

闸/源击穿电压+/- 8 V

漏极连续电流2.2 A

电阻汲极/源极 RDS(导通)0.145 Ohms

配置Dual

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体TSOP-6

封装Reel

下降时间29 ns

最小工作温度- 55 C

功率耗散830 mW

上升时间29 ns

工厂包装数量3000

商标名TrenchFET

典型关闭延迟时间24 ns

供应商SI3911DV-T1
SI3911DV-T1的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城(深圳)科技有限公司SI3911DV-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI3911DV-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市微碧半导体有限公司SI3911DV-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668
许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市成源运利电子科技有限公司SI3911DV-T1-E3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480
林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI3911DV-T1深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
集好芯城SI3911DV-T1深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI3911DV-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI3911DV-T1航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI3911DV-T1上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SI3911DV-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128
Email:517368904@QQ.COM询价
深圳诚思涵科技有限公司SI3911DV-T1-E3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671
曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市大源实业科技有限公司SI3911DV-T1深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
15302619915,13762584085
李小姐Email:dysykj005@foxmail.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI3911DV-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI3911DV-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI3911DV-T1-E3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905
小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI3911DV-T1-E3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
万三科技(深圳)有限公司SI3911DV-T1-E3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-21006672
18188642307
王小康skype:18188642307Email:leo@wansan.net.cn询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI3911DV-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
曾先生Email:1153689911@qq.com询价
万三科技(深圳)有限公司SI3911DV-T1深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516,18818598465
18818598465
王俊杰Email:darren@wansan.net.cn询价
深圳盛兴电子科技有限公司SI3911DV-T1-GE3华强电子3号(佳和)潮流前线负一楼1B1410755-83796817
15072058203
柯先生Email:3211176197@qq.com询价
SI3911DV-T1及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SI3911DV-T1连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:75mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W(Tc) 类型:双P沟道VBsemi(台湾微碧)VBsemi(台湾微碧)的LOGO938.10 Kbytes共9页SI3911DV-T1的PDF下载地址
SI3911DV-T1-E3MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOPVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO104.27 Kbytes共5页SI3911DV-T1-E3的PDF下载地址
SI3911DV-T1-GE3Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1081.46 Kbytes共9页SI3911DV-T1-GE3的PDF下载地址
SI3911DV-T1的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI3911DV-T1-E3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.2A价格未公开
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SI3911DV-T1-E3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.2A价格未公开
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
SI3911DV-T1VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:75mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W(Tc) 类型:双P沟道1+:¥1.053
10+:¥0.7781
30+:¥0.7276
100+:¥0.6771
500+:¥0.6547
1000+:¥0.6436