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SI3900DV-T1-E3/BKN /MOSFET; TSOP6 20V Dual N-Channel (D-S) Trench
SI3900DV-T1-E3/BKN的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Channel TypeN

ConfigurationSingle

Dimensions3.1 x 1.7 x 1 mm

Drain Current2 A

Drain to Source On Resistance0.2 Ω

Drain to Source Voltage20 V

Forward Transconductance5 S

Forward Voltage, Diode1.1 V

Gate to Source Voltage±12 V

Height0.039" (1mm)

Junction to Ambient Thermal Resistance130 °C/W

Length0.122" (3.1mm)

Maximum Operating Temperature+150 °C

Minimum Operating Temperature-55 °C

Mounting TypeSurface Mount

Number of Elements per Chip2

Number of Pins6

Operating Temperature-55 to 150 °C

Package TypeTSOP

PolarizationN-Channel

Power Dissipation0.83 W

SeriesSI39 Series

Temperature Operating Range-55 to +150 °C

Total Gate Charge2.1 nC

Turn Off Delay Time14 ns

Turn On Delay Time10 ns

Typical Gate Charge @ Vgs2.1 nC @ 4.5 V

Voltage, Breakdown, Drain to Source20 V

Width0.067" (1.7mm)

供应商SI3900DV-T1-E3/BKN
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