标准包装：1
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 阵列
系列：TrenchFET®
包装：剪切带（CT）
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.8A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：145 毫欧 @ 2.2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：450mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：7.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-
功率 - 最大值：830mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：6-TSOP
其它名称：SI3911DV-T1-E3CT