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SI3499DV-T1-GE3 /Single P-Channel 8 V 0.023 Ohm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TSOP-6
SI3499DV-T1-GE3的规格信息
SI3499DV-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.3A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.5V,4.5V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):750mV @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):42nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±5V

功率耗散(最大值):1.1W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):23 毫欧 @ 7A,4.5V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

封装形式Package:TSOP-6

极性Polarity:P-CH

漏源极击穿电压VDSS:8V

连续漏极电流ID:5.3A

漏源极导通电阻RDS(ON):23mOhms

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SI3499DV-T1-GE3
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Allied Electronics
SI3499DV-T1-GE3Siliconix / VishaySI3499DV-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 3.9 A, 8 V, 6-Pin TSOP+300:$0.86
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Arrow(艾睿)
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Mouser 贸泽电子
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SI3499DV-T1-GE3VISHAY(威世)预售晶体管1+:¥12.42
200+:¥4.81
500+:¥4.64
1000+:¥4.56