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SI3585DV-T1 /
SI3585DV-T1的规格信息
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产品种类MOSFET

晶体管极性N and P-Channel

汲极/源极击穿电压+/- 20 V

闸/源击穿电压+/- 12 V

漏极连续电流2.4 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）0.125 Ohms, 0.2 Ohms

配置Dual

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体TSOP-6

封装Reel

下降时间30 ns at N Channel, 34 ns at P Channel

最小工作温度- 55 C

功率耗散830 mW

上升时间30 ns at N Channel, 34 ns at P Channel

工厂包装数量3000

商标名TrenchFET

典型关闭延迟时间14 ns at N Channel, 19 ns at P Channel

供应商SI3585DV-T1
SI3585DV-T1的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城（深圳）科技有限公司Si3585DV-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI3585DV-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司SI3585DV-T1-E3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI3585DV-T1-E3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI3585DV-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SI3585DV-T1深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI3585DV-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SI3585DV-T1-E3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI3585DV-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SI3585DV-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
万三科技（深圳）有限公司SI3585DV-T1深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-21006672
18188642307		王小康skype:18188642307Email:leo@wansan.net.cn询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI3585DV-T1上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI3585DV-T1-E3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI3585DV-T1深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市微碧半导体有限公司SI3585DV-T1-E3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668		许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市莱杰信科技有限公司SI3585DV-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区102栋西座619/香港新界中环工業大廈112-115號0755-28183929
18207603663,18718561290		吴小姐，曹先生Email:320966349@qq.com询价
万三科技（深圳）有限公司SI3585DV-T1-E3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516，18818598465
18818598465		王俊杰Email:darren@wansan.net.cn询价
深圳盛兴电子科技有限公司SI3585DV-T1-GE3华强电子3号（佳和）潮流前线负一楼1B1410755-83796817
15072058203		柯先生Email:3211176197@qq.com询价
深圳市惊羽科技有限公司Si3585DV-T1-E3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回		彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
深圳市惊羽科技有限公司SI3585DV-T1深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回		彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
SI3585DV-T1及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SI3585DV-T1连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.5A,3.4A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：0.6V @ 250uA,0.7V @ 250uA 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.15W 类型：N沟道和P沟道VBsemi(台湾微碧)VBsemi(台湾微碧)的LOGO958.84 Kbytes共10页SI3585DV-T1的PDF下载地址无
SI3585DV-T1-E3MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOPVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO127.40 Kbytes共8页SI3585DV-T1-E3的PDF下载地址无
SI3585DV-T1-E3MOSFET; DUAL; 20V; 2.4/1.8A; TSOP-6Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO127.40 Kbytes共8页SI3585DV-T1-E3的PDF下载地址无
SI3585DV-T1-GE3N- and P-Channel V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1126.68 Kbytes共10页SI3585DV-T1-GE3的PDF下载地址无
SI3585DV-T1的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI3585DV-T1-E3Siliconix / VishayMOSFET; DUAL; 20V; 2.4/1.8A; TSOP-6+3000:$0.64
+150000:$0.63
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2		SI3585DV-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品1+:￥5.6701
10+:￥4.9901
25+:￥4.4
100+:￥3.8401
250+:￥3.34
500+:￥2.85
100
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SI3585DV-T1-E3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.4/1.8A1+:￥4.21
10+:￥3.53
25+:￥
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI3585DV-T1-E3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 2.4/1.8A1+:￥4.21
10+:￥3.53
25+:￥3.09
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI3585DV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOPObsolete
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI3585DV-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品1+:￥5.6701
10+:￥4.9901
25+:￥4.4
100+:￥3.8401
250+:￥3.34
500+:￥2.85
1000+:￥2.28
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI3585DV-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品1+:￥5.6701
10+:￥4.9901
25+:￥4.4
100+:￥3.8401
250+:￥3.34
500+:￥2.85
1000+:￥
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SI3585DV-T1VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.5A,3.4A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：0.6V @ 250uA,0.7V @ 250uA 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.15W 类型：N沟道和P沟道5+:￥0.612614
50+:￥0.452678
150+:￥0.423302
500+:￥0.393926
2500+:￥0.38087
5000+:￥0.374418
SI3585DV-T1的相关型号
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