产品种类MOSFET

晶体管极性N and P-Channel

汲极/源极击穿电压+/- 20 V

闸/源击穿电压+/- 12 V

漏极连续电流2.4 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）0.125 Ohms, 0.2 Ohms

配置Dual

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体TSOP-6

封装Reel

下降时间30 ns at N Channel, 34 ns at P Channel

最小工作温度- 55 C

功率耗散830 mW

上升时间30 ns at N Channel, 34 ns at P Channel

工厂包装数量3000

商标名TrenchFET

典型关闭延迟时间14 ns at N Channel, 19 ns at P Channel