系列：SI

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.8A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA（最小）

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.6nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：1.14W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：170 毫欧 @ 2.4A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6细型，TSOT-23-6

封装形式Package：TSOP-6

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：100V

连续漏极电流ID：2.4A

漏源极导通电阻RDS(ON)：170mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs