• 信息最全的元器件资料网
一键搜索元器件图片、规格参数、供应商、PDF资料、价格
当前位置：首页
SI3421DV-T1-GE3 /MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
SI3421DV-T1-GE3的规格信息
SI3421DV-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOP-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:19.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:46 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:4.2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI3

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:30 S

下降时间:13 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:55 ns

典型接通延迟时间:7 ns

单位重量:20 mg

供应商SI3421DV-T1-GE3
SI3421DV-T1-GE3的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SI3421DV-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI3421DV-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司Si3421DV-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI3421DV-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI3421DV-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI3421DV-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SI3421DV-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613		郑小姐Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SI3421DV-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI3421DV-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI3421DV-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI3421DV-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI3421DV-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI3421DV-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI3421DV-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI3421DV-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SI3421DV-T1-GE3地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560		李Email:ljw@sxdzic.cn询价
深圳市华芯盛世科技有限公司SI3421DV-T1-GE3深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
13723794312		朱先生Email:PHZHUJUNWEI@163.COM询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI3421DV-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si3421DV-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市骏凯诚科技有限公司SI3421DV-T1-GE3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995		朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
SI3421DV-T1-GE3及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SI3421DV-T1-GE3MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO221.61 Kbytes共11页SI3421DV-T1-GE3的PDF下载地址无
SI3421DV-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO245.89 Kbytes共11页SI3421DV-T1-GE3的PDF下载地址无
SI3421DV-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：19.2mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.2W(Tc) 类型：P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO220.51 Kbytes共11页SI3421DV-T1-GE3的PDF下载地址无
SI3421DV-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI3421DV-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -30V .0192ohm@-10V -8A P-Ch3000+:￥1.27
6000+:￥1.1799
15000+:￥1.1
30000+:￥1.04
75000+:￥1.02
150000+:￥0.98
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		SI3421DV-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -30V .0192ohm@-10V -8A P-Ch3000+:￥1.27
6000+:￥1.1799
15000+:￥1.1
30000+:￥1.04
75000+:￥1.02
150000+:￥0.981+:￥3.07
10+:￥2.27
100+:￥1.6899
500+:￥1.43
1000+:￥1.27
3000+:￥1.21
6000+:￥1.21
9000+:￥1.11
24000+:￥1.081+:￥3.6
10+:￥2.6701
100+:￥1.98
500+:￥1.68
1000+:￥1.3
3000+:￥1.1799
6000+:￥1.11
9000+:￥1.03
24000+:￥0.97
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI3421DV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-61:¥4.6895
10:¥4.0002
100:¥3.0171
500:¥2.2261
1,000:¥1.7402
3,000:¥1.469
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI3421DV-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -30V .0192ohm@-10V -8A P-Ch3000+:￥1.27
6000+:￥1.1799
15000+:￥1.1
30000+:￥1.04
75000+:￥1.02
150000+:￥0.981+:￥3.07
10+:￥2.27
100+:￥1.6899
500+:￥1.43
1000+:￥1.27
3000+:￥1.21
6000+:￥1.21
9000+:￥1.11
24000+:￥1.08
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SI3421DV-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：19.2mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.2W(Tc) 类型：P沟道1+:￥2.34
10+:￥1.75
30+:￥1.64
100+:￥1.53
500+:￥1.49
1000+:￥1.46
SI3421DV-T1-GE3的相关型号
加为收藏 粤ICP备16009799号