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SI3410DV-T1-GE3 /Si3410DV Series 30 V 19.5 mOhm Surface Mount N-Channel MOSFET - TSOP-6
SI3410DV-T1-GE3的规格信息
SI3410DV-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：8A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：33nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1295pF @ 15V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：2W（Ta），4.1W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：19.5 毫欧 @ 5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

封装形式Package：TSOP-6

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：7.5A

漏源极导通电阻RDS(ON)：19.5mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：3V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SI3410DV-T1-GE3
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现代芯城（深圳）科技有限公司SI3410DV-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI3410DV-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI3410DV-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SI3410DV-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市莉诚科技有限公司SI3410DV-T1-GE3新安街道新安六路勤业商务中心A座42913823158773
13823158773，18124725558		赵Email:1574277398@qq.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司Si3410DV-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI3410DV-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI3410DV-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI3410DV-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
上海三崧电子有限公司SI3410DV-T1-GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344		樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市铭科源电子有限公司SI3410DV-T1-GE3深圳市新华强电子世界Q3B0370755-82503204
13670017571		郭Email:872850802@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si3410DV-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI3410DV-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI3410DV-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市宸远科技有限公司Si3410DV-T1-GE3深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
19068068798，15338712396		彭先生，许娜Email:3004325620@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司Si3410DV-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI3410DV-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城SI3410DV-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI3410DV-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SI3410DV-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
SI3410DV-T1-GE3及相关型号的PDF资料
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SI3410DV-T1-GE3MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSOP-6Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO197.16 Kbytes共11页SI3410DV-T1-GE3的PDF下载地址无
SI3410DV-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOPVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO221.24 Kbytes共11页SI3410DV-T1-GE3的PDF下载地址无
SI3410DV-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：19.5mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.1W(Tc) 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO195.88 Kbytes共11页SI3410DV-T1-GE3的PDF下载地址无
SI3410DV-T1-GE3SI3410DV-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 8 A; 30 V; 6-Pin TSOPSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO191.47 Kbytes共11页SI3410DV-T1-GE3的PDF下载地址无
SI3410DV-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI3410DV-T1-GE3Siliconix / VishaySI3410DV-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 8 A; 30 V; 6-Pin TSOP+300:$0.77
+600:$0.64
+1500:$0.52
+3000:$0.47
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SI3410DV-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 8.0A 4.1W 23mohm @ 4.5V3000+:￥2.21
6000+:￥2.06
15000+:￥1.9901
30000+:￥1.91
75000+:￥1.87
150000+:￥1.83991+:￥4.81
10+:￥3.78
100+:￥2.87
500+:￥2.44
1000+:￥2.26
3000+:￥2.26
6000+:￥2.08
9000+:￥2.06
24000+:￥1.981+:￥5.92
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25+:￥4.563000+:￥1.1601
6000+:￥1.141+:￥2.47
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI3410DV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP$0.87000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI3410DV-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 8.0A 4.1W 23mohm @ 4.5V3000+:￥2.21
6000+:￥2.06
15000+:￥1.9901
30000+:￥1.91
75000+:￥1.87
150000+:￥1.8399
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		SI3410DV-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 8.0A 4.1W 23mohm @ 4.5V3000+:￥2.21
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30000+:￥1.91
75000+:￥1.87
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SI3410DV-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 8.0A 4.1W 23mohm @ 4.5V3000+:￥2.21
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10+:￥3.78
100+:￥2.87
500+:￥2.44
1000+:￥2.26
3000+:￥2.26
6000+:￥2.08
9000+:￥2.06
24000+:￥1.981+:￥5.92
10+:￥5.15
25+:￥4.563000+:￥1.1601
6000+:￥1.14
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI3410DV-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 8.0A 4.1W 23mohm @ 4.5V3000+:￥2.21
6000+:￥2.06
15000+:￥1.9901
30000+:￥1.91
75000+:￥1.87
150000+:￥1.83991+:￥4.81
10+:￥3.78
100+:￥2.87
500+:￥2.44
1000+:￥2.26
3000+:￥2.26
6000+:￥2.08
9000+:￥2.06
24000+:￥1.98
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI3410DV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs TSOP-61:¥6.4523
10:¥5.1528
100:¥3.9098
500:¥3.2318
1,000:¥2.6894
3,000:¥2.6894
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立创商城		SI3410DV-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：19.5mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.1W(Tc) 类型：N沟道1+:￥6.14
10+:￥4.53
30+:￥4.23
100+:￥3.94
500+:￥3.81
1000+:￥3.74
SI3410DV-T1-GE3的相关型号
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