| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Arrow(艾睿) | SI3430DV-T1-E3 | Vishay | FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 8A 2W | 3000+:￥2.68
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Arrow(艾睿) | SI3430DV-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 - 分立半导体产品 | 3000+:￥2.68
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ChipOneStop | SI3430DV-T1-E3 | Vishay | FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 8A 2W | 3000+:￥2.68
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Digi-Key 得捷电子 | SI3430DV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP | $1.06000 |
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element14 e络盟电子 | SI3430DV-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 - 分立半导体产品 | 3000+:￥2.68
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Mouser 贸泽电子 | SI3430DV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V 2.4A 2.0W 170mohm @ 10V | 1:¥8.9157
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Quest Components | SI3430DV-T1 | Vishay Siliconix | 1800 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 2,280 : $0.3375
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RS(欧时) | SI3430DV-T1-E3 | Vishay | FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 8A 2W | 3000+:￥2.68
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Verical | SI3430DV-T1-E3 | Vishay | FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 8A 2W | 3000+:￥2.68
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立创商城 | SI3430DV | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：95mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.8W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥1.2169
10+:￥0.8992
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立创商城 | SI3430DV-T1-E3 | VISHAY(威世) | 预售晶体管 | 1+:￥12.21
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立创商城 | SI3430DV-T1-GE3 | VISHAY(威世) | 预售芯片 | 1+:￥13.52
200+:￥5.24
500+:￥5.05
1000+:￥4.96
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