Si3407DV-T1的供应商，Si3407DV-T1规格参数，Si3407DV-T1的PDF资料

Si3407DV-T1 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W(Tc) 类型：P沟道

Si3407DV-T1的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）4.6A(Tc)

栅源极阈值电压2V @ 250uA

漏源导通电阻55mΩ @ 4.1A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）3W(Tc)

类型P沟道

Si3407DV-T1

Si3407DV-T1的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	SI3407DV-T1-E3	www.nowchip.com	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SI3407DV-T1-BE3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市微碧半导体有限公司	Si3407DV-T1-GE3-VB	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
深圳市坤融电子有限公司	Si3407DV-T1-E3	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	SI3407DV-T1-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
集好芯城	SI3407DV-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SI3407DV-T1-BE3	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
集好芯城	SI3407DV-T1-BE3	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SI3407DV-T1-BE3	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市赛美科科技有限公司	SI3407DV-T1-E3	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	SI3407DV-T1-GE3	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	SI3407DV-T1-E3	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	Si3407DV-T1	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	SI3407DV-T1-GE3	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	SI3407DV-T1-GE3	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司	Si3407DV-T1-GE3	华强北路新华强广场B座27D	0755-83238360 13603072128	陈	询价
深圳市成源运利电子科技有限公司	Si3407DV-T1-GE3	深圳市福田区华强路东方时代广场A2705	159-13992480 15913992480	林先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SI3407DV-T1-BE3	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	SI3407DV-T1-E3	深圳市福田区上步工业区501栋1103	0755-84875764 ”13725596657“17503034873	曾先生	询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司	SI3407DV-T1-GE3 .	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C	实-单-专-线V+18938047708 18938047708/18938048779	林炜东，林俊源	询价

Si3407DV-T1及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
Si3407DV-T1	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W(Tc) 类型：P沟道	VBsemi(台湾微碧)	858.85 Kbytes	共9页	无
SI3407DV-T1-E3	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	112.32 Kbytes	共7页	SI5945DU,SI1913EDH_08,SI7601DN,SI1067X,SI7703EDN,SI6983DQ,SI1069X,SI1967DH,SIA811DJ,SI2301CDS
SI3407DV-T1-GE3	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1000.81 Kbytes	共9页	无
SI3407DV-T1-GE3 .	晶体管, P沟道	VISHAY	202.81 Kbytes	共11页	无

Si3407DV-T1的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Allied Electronics	SI3407DV-T1-GE3	Siliconix / Vishay	20V 8.0A 4.2W 37mohm @ 2.5V	+3000:$0.76 +6000:$0.50
Arrow(艾睿)	SI3407DV-T1-GE3	Vishay	半导体 MOSFET 20V 8.0A 4.2W 37mohm @ 2.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品	1+:￥3.0099 10+:￥2.24 100+:￥1.66 500+:￥1.4 1000+:￥1.24 3000+:￥1.1799 6000+:￥1.1799 9000+:￥1.09 24000+:￥1.061+:￥0.82013000+:￥1.121+:￥1.23
ChipOneStop	SI3407DV-T1-GE3	Vishay	半导体 MOSFET 20V 8.0A 4.2W 37mohm @ 2.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品	1+:￥3.0099 10+:￥2.24 100+:￥1.66 500+:￥1.4 1000+:￥1.24 3000+:￥1.1799 6000+:￥1.1799 9000+:￥1.09 24000+:￥1.061+:￥0.82013000+:￥1.12
Digi-Key 得捷电子	SI3407DV-T1-BE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP	$0.53000
Digi-Key 得捷电子	SI3407DV-T1-E3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品	价格未公开
Digi-Key 得捷电子	SI3407DV-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP	Obsolete
element14 e络盟电子	SI3407DV-T1-GE3	Vishay	半导体 MOSFET 20V 8.0A 4.2W 37mohm @ 2.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品	1+:￥3.0099 10+:￥2.24 100+:￥1.66 500+:￥1.4 1000+:￥1.24 3000+:￥1.1799 6000+:￥1.1799 9000+:￥1.09 24000+:￥1.061+:￥0.8201
Mouser 贸泽电子	SI3407DV-T1-E3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品	价格未公开
Mouser 贸泽电子	SI3407DV-T1-GE3	Vishay	半导体 MOSFET 20V 8.0A 4.2W 37mohm @ 2.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品	1+:￥3.0099 10+:￥2.24 100+:￥1.66 500+:￥1.4 1000+:￥1.24 3000+:￥1.1799 6000+:￥1.1799 9000+:￥1.09 24000+:￥1.06
Mouser 贸泽电子	SI3407DV-T1-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET -20V Vds 12V Vgs TSOP-6	1:¥4.0002 10:¥3.0623 100:¥2.2713 500:¥1.8645 3,000:¥1.3108 6,000:查看
Verical	SI3407DV-T1-GE3	Vishay	半导体 MOSFET 20V 8.0A 4.2W 37mohm @ 2.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品	1+:￥3.0099 10+:￥2.24 100+:￥1.66 500+:￥1.4 1000+:￥1.24 3000+:￥1.1799 6000+:￥1.1799 9000+:￥1.09 24000+:￥1.061+:￥0.82013000+:￥1.121+:￥1.231+:￥1.03
立创商城	Si3407DV-T1	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W(Tc) 类型：P沟道	1+:￥0.8041 10+:￥0.5942 30+:￥0.5556 100+:￥0.5171 500+:￥0.4999 1000+:￥0.4915
立创商城	SI3407DV-T1-GE3	VISHAY(威世)	预售晶体管	1+:￥4.42 200+:￥1.72 500+:￥1.66 1000+:￥1.63

Si3407DV-T1的相关型号