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SI1555DL-T1 / MOSFET 20/8 0.7/0.6
SI1555DL-T1的规格信息
SI1555DL-T1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Vishay / Siliconix

Id-连续漏极电流:700 mA

Vds-漏源极击穿电压:20 V, - 8 V

Rds On-漏源导通电阻:600 mOhms

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :12 V, 8 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:270 mW

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363-6

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Dual

下降时间:16 ns, 25 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:16 ns, 25 ns

工厂包装数量:3000

商标名:TrenchFET

典型关闭延迟时间:10 ns

典型接通 00006000 延迟时间:10 ns, 6 ns

供应商SI1555DL-T1
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许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市芯幂科技有限公司SI1555DL-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI1555DL-T1-E3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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深圳市水星电子有限公司SI1555DL-T1-E3地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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深圳和润天下电子科技有限公司SI1555DL-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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SI1555DL-T1Complementary Low-Threshold MOSFET Pair VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO111.05 Kbytes共8页SI1555DL-T1的PDF下载地址SPC1016,NTLJD3119C,SPC4539,ALD1115,SPC6332,FDMA1032CZ,ZXMC3A16DN8_05,ZXMC3F31DN8,SPC6601,ZXMC4A16DN8
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SI1555DL-T1的全球分销商及价格
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Allied Electronics
SI1555DL-T1-E3Siliconix / VishayMOSFET; 20V N-CH; 8V P-CH COMP PAIR+3000:$0.24
+6000:$0.23
+9000:$0.22
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SI1555DL-T1-E3Vishay半导体 MOSFET 20/8 0.7/0.6 FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥3.58
10+:¥2.46
100+:¥
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SI1555DL-T1-E3Vishay半导体 MOSFET 20/8 0.7/0.6 FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥3.58
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10
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Digi-Key 得捷电子
SI1555DL-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V/8V SC70-6Obsolete
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Digi-Key 得捷电子
SI1555DL-T1-E3Vishay半导体 MOSFET 20/8 0.7/0.6 FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥3.58
10+:¥2.46
100+:¥2.07
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立创商城
SI1555DL-T1VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)5+:¥0.7658
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500+:¥0.4925
2500+:¥0.4761
5000+:¥0.4681