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SI1553DL-T1-E3/BKN /MOSFET; COMPLIMENTARY 2.5V (G-S) Trench
SI1553DL-T1-E3/BKN的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Channel TypeN, P

ConfigurationSingle

Dimensions2.2 x 1.35 x 1 mm

Drain Current±0.41, ±0.66 A

Drain to Source On Resistance0.63, 1.8 Ω

Drain to Source Voltage-20, 20 V

Forward Transconductance0.8, 1.5 S

Forward Voltage, Diode0.8/-0.8 V

Gate to Source Voltage±12 V

Height0.039" (1mm)

Junction to Ambient Thermal Resistance400 °C/W

Length0.086" (2.2mm)

Maximum Operating Temperature+150 °C

Minimum Operating Temperature-55 °C

Mounting TypeSurface Mount

Number of Elements per Chip2

Number of Pins6

Operating Temperature-55 to 150 °C

Package TypeSC-70

PolarizationN-Channel and P-Channel

Power Dissipation0.27 W

SeriesSI15 Series

Temperature Operating Range-55 to +150 °C

Total Gate Charge0.8/1.2 nC

Turn Off Delay Time8.5, 10 ns

Turn On Delay Time7.5, 10 ns

Typical Gate Charge @ Vgs0.8 nC @ 4.5 V, 1.2 nC @ 4.5 V

Voltage, Breakdown, Drain to Source20/-20 V

Width0.053" (1.35mm)

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