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SI1553DL-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI1553DL-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):660mA,410mA

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250µA(最小)

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:270mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装:SC-70-6(SOT-363)

其它名称:SI1553DL-T1-E3TRSI1553DLT1E3

供应商SI1553DL-T1-E3
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