FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：700mA (Tc), 460mA (Tc)

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：388 毫欧 @ 600mA, 10V, 1.07 欧姆 @ 400mA, 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA，3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.1nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：28pF @ 15V, 21pF @ 15V

功率 - 最大值：340mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：SC-70-6

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs