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SI1480DH-T1-GE3 /MOSFET 100V Vds 20V Vgs SC70-6
SI1480DH-T1-GE3的规格信息
SI1480DH-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:2.6 A

Rds On-漏源导通电阻:161 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:2.1 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.25 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:3.7 S

下降时间:13 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:45 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:11 ns

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:28 mg

供应商SI1480DH-T1-GE3
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深圳市成源运利电子科技有限公司Si1480DH-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳市芯幂科技有限公司SI1480DH-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市天卓伟业电子有限公司SI1480DH-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI1480DH-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SI1480DH-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
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芯莱德电子(香港)有限公司SI1480DH-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市高捷芯城科技有限公司SI1480DH-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI1480DH-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI1480DH-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI1480DH-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI1480DH-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si1480DH-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市斌腾达科技有限公司SI1480DH-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SI1480DH-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市星宇佳科技有限公司SI1480DH-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳市全秀电子有限公司Si1480DH-T1-GE3东久创新科技园6栋12楼整层13129599479
13129599479
刘群Email:13129599479@163.com询价
深圳市惊羽科技有限公司SI1480DH-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
深圳市惊羽科技有限公司SI1480DH-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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SI1480DH-T1-GE3MOSFET 100V Vds 20V Vgs SC70-6Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO250.74 Kbytes共12页SI1480DH-T1-GE3的PDF下载地址
SI1480DH-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO247.25 Kbytes共12页SI1480DH-T1-GE3的PDF下载地址
SI1480DH-T1-GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.8W(Tc) 类型:N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO248.96 Kbytes共12页SI1480DH-T1-GE3的PDF下载地址
SI1480DH-T1-GE3SI1480DH-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 2.6 A; 100 V; 6-Pin SOT-363Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO247.25 Kbytes共12页SI1480DH-T1-GE3的PDF下载地址
SI1480DH-T1-GE3的全球分销商及价格
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Allied Electronics
SI1480DH-T1-GE3Siliconix / VishaySI1480DH-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 2.6 A; 100 V; 6-Pin SOT-363+3000:$0.43
+6000:$0.38
+12000:$0.36
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Arrow(艾睿)
SI1480DH-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 200mOhm@10V 2.3A N-Ch3000+:¥1.24
6000+:¥1.1601
15000+:¥1.08
30000+:¥1.02
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10+:¥2.24
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24000+:¥1.063000+:¥1.041+:¥1.29
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ChipOneStop
SI1480DH-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 200mOhm@10V 2.3A N-Ch3000+:¥1.24
6000+:¥1.1601
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24000+:¥1.063000+:¥1.04
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Digi-Key 得捷电子
SI1480DH-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6$0.53000
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Digi-Key 得捷电子
SI1480DH-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 200mOhm@10V 2.3A N-Ch3000+:¥1.24
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150000+:¥0.96
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Mouser 贸泽电子
SI1480DH-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 200mOhm@10V 2.3A N-Ch3000+:¥1.24
6000+:¥1.1601
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SI1480DH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs SC70-61:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.3108
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Tti
SI1480DH-T1-GE3Vishay Intertechnologies3000+:¥1.24
6000+:¥1.1601
15000+:¥1.08
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12000+:¥1.2
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立创商城
SI1480DH-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.8W(Tc) 类型:N沟道1+:¥5.83
10+:¥4.34
30+:¥4.06
100+:¥3.79
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1000+:¥3.6