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SI1470DH-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI1470DH-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.1A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):66 毫欧 @ 3.8A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.5nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):510pF @ 15V

功率 - 最大值:2.8W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装:SC-70-6(SOT-363)

其它名称:SI1470DH-T1-E3TRSI1470DHT1E3

供应商SI1470DH-T1-E3
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SI1470DH-T1-E3N-Channel 30-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO114.76 Kbytes共7页SI1470DH-T1-E3的PDF下载地址SI3424DV,SI4396DY,SI1304BDL,SI9936BDY_07,SI4618DY,SI1302DL_08,SI1304BDL_08,SI4914DY,SUP75N03-04,SI1426DH_08
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SI1470DH-T1-E3RS COMPONENTS UKSI1470DH-T1-E3 N-channel MOSFET Transistor; 3.8 A; 30 V; 6-Pin SC-7010:$0.39
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SI1470DH-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 2.8W 66mohm @ 4.5V1+:¥3.83
10+:¥2.96
100+:¥2.61
250+:¥2.26
500+:¥1.91
1000+:¥1.72
3000+:¥1.54
6000+:¥1.4801
12000+:¥1.411+:¥1.8399
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SI1470DH-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6Obsolete
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SI1470DH-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 2.8W 66mohm @ 4.5V1+:¥3.83
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12000+:¥1.411+:¥1.