FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.9A（Ta），2.37A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：2.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：100pF @ 15V
功率耗散（最大值）：1.32W（Ta），2.28W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：238 毫欧 @ 1.9A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：SC-70-6（SOT-363）
封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs