• 信息最全的元器件资料网
一键搜索元器件图片、规格参数、供应商、PDF资料、价格
当前位置：首页
SI1308EDL-T1-GE3 /MOSFET 30V Vds 12V Vgs SC70-3
SI1308EDL-T1-GE3的规格信息
SI1308EDL-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-323-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:1.5 A

Rds On-漏源导通电阻:132 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:2.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:2.1 mm

系列:SI1

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.25 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:5 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:8 ns

典型接通延迟时间:2 ns

零件号别名:SI1300BDL-T1-GE3 SI1304BDL-T1-GE3

单位重量:5 mg

供应商SI1308EDL-T1-GE3
SI1308EDL-T1-GE3的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
深圳市威雅利发展有限公司SI1308EDL-T1-GE3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI1308EDL-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SI1308EDL-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI1308EDL-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI1308EDL-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司SI1308EDL-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI1308EDL-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI1308EDL-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SI1308EDL-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI1308EDL-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI1308EDL-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城SI1308EDL-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI1308EDL-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI1308EDL-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI1308EDL-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI1308EDL-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI1308EDL-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI1308EDL-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SI1308EDL-T1-GE3地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560		李Email:ljw@sxdzic.cn询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI1308EDL-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
SI1308EDL-T1-GE3及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SI1308EDL-T1-GE3MOSFET 30V Vds 12V Vgs SC70-3Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO256.81 Kbytes共11页SI1308EDL-T1-GE3的PDF下载地址无
SI1308EDL-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO254.3 Kbytes共11页SI1308EDL-T1-GE3的PDF下载地址无
SI1308EDL-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.4A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：132mΩ @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO253.51 Kbytes共11页SI1308EDL-T1-GE3的PDF下载地址无
SI1308EDL-T1-GE3Si1308EDL-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 1.5 A, 30 V, 3-Pin SC-70Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO254.3 Kbytes共11页SI1308EDL-T1-GE3的PDF下载地址无
SI1308EDL-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI1308EDL-T1-GE3Siliconix / VishaySi1308EDL-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 1.5 A, 30 V, 3-Pin SC-70+3000:$0.43
+6000:$0.35
+12000:$0.30
元器件资料网-Avnet的LOGO
Avnet		SI1308EDL-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30V 1.5A FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品1+:￥3.63
10+:￥2.87
25+:￥2.42
100+:￥1.97
250+:￥1.63
500+:￥1.34
1000+:￥11+:￥2.78
10+:￥1.8599
100+:￥1.1601
500+:￥1.04
1000+:￥0.89
3000+:￥0.8201
6000+:￥0.81
9000+:￥0.81
24000+:￥0.751+:￥3.41
10+:￥2.68
25+:￥2.27
100+:￥1.85
250+:￥1.5199
500+:￥1.26
1000+:￥0.9525+:￥1.25
100+:￥1.23
500+:￥1.13
1000+:￥1.083000+:￥1.15
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI1308EDL-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30V 1.5A FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品1+:￥3.63
10+:￥2.87
25+:￥2.42
100+:￥1.97
250+:￥1.63
500+:￥1.34
1000+:￥11+:￥2.78
10+:￥1.8599
100+:￥1.1601
500+:￥1.04
1000+:￥0.89
3000+:￥0.8201
6000+:￥0.81
9000+:￥0.81
24000+:￥0.751+:￥3.41
10+:￥2.68
25+:￥2.27
100+:￥1.85
250+:￥1.5199
500+:￥1.26
1000+:￥0.9525+:￥1.25
100+:￥1.23
500+:￥1.13
1000+:￥1.08
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI1308EDL-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323$0.48000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI1308EDL-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30V 1.5A FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品1+:￥3.63
10+:￥2.87
25+:￥2.42
100+:￥1.97
250+:￥1.63
500+:￥1.34
1000+:￥1
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		SI1308EDL-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30V 1.5A FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品1+:￥3.63
10+:￥2.87
25+:￥2.42
100+:￥1.97
250+:￥1.63
500+:￥1.34
1000+:￥11+:￥2.78
10+:￥1.8599
100+:￥1.1601
500+:￥1.04
1000+:￥0.89
3000+:￥0.8201
6000+:￥0.81
9000+:￥0.81
24000+:￥0.751+:￥3.41
10+:￥2.68
25+:￥2.27
100+:￥1.85
250+:￥1.5199
500+:￥1.26
1000+:￥0.95
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI1308EDL-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30V 1.5A FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品1+:￥3.63
10+:￥2.87
25+:￥2.42
100+:￥1.97
250+:￥1.63
500+:￥1.34
1000+:￥11+:￥2.78
10+:￥1.8599
100+:￥1.1601
500+:￥1.04
1000+:￥0.89
3000+:￥0.8201
6000+:￥0.81
9000+:￥0.81
24000+:￥0.75
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI1308EDL-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 12V Vgs SC70-31:¥3.7629
10:¥2.5538
100:¥1.7289
500:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥1.03734
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SI1308EDL-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.4A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：132mΩ @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：N沟道1+:￥1.0006
10+:￥0.7423
30+:￥0.6948
100+:￥0.6474
500+:￥0.6263
1000+:￥0.6159
SI1308EDL-T1-GE3的相关型号
加为收藏 粤ICP备16009799号