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SI1307DL-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI1307DL-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：850mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：290 毫欧 @ 1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：450mV @ 250µA（最小）

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-

功率 - 最大值：290mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商器件封装：SC-70-3

其它名称：SI1307DL-T1-E3-NDSI1307DL-T1-E3TRSI1307DLT1E3

供应商SI1307DL-T1-E3
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SI1307DL-T1-E3P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO101.46 Kbytes共5页SI1307DL-T1-E3的PDF下载地址无
SI1307DL-T1-E3的全球分销商及价格
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Allied Electronics		SI1307DL-T1-E3Siliconix / VishayMOSFET, Power,P-Ch,VDSS -12V,RDS(ON) 0.24Ohm,ID+/-0.85A,SC-70 (SOT-323),PD 0.29W+3000:$0.27
+150000:$0.26
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Allied Electronics		SI1307DL-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET, Power; P-Ch; VDSS -12V; RDS(ON) 0.24Ohm; ID +/-0.85A; SC-70 (SOT-323); PD 0.293,000 : $0.1891
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Am2		SI1307DL-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 12V 0.91A1+:￥4.8
10+:￥4.05
25+:￥3.55
100+:￥3.0299
250+:￥2.63
500+:￥2.23
100
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Arrow(艾睿)		SI1307DL-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 12V 0.91A1+:￥4.8
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Digi-Key 得捷电子		SI1307DL-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 850MA SC70-3Obsolete
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Digi-Key 得捷电子		SI1307DL-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 12V 0.91A1+:￥4.8
10+:￥4.05
25+:￥3.55
100+:￥3.0299
250+:￥2.63
500+:￥2.23
1000+:￥1.72
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Mouser 贸泽电子		SI1307DL-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 12V 0.91A1+:￥4.8
10+:￥4.05
25+:￥3.55
100+:￥3.0299
250+:￥2.63
500+:￥2.23
1000+:￥
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