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SI1401EDH-T1-GE3 /MOSFET -12V Vds 10V Vgs SC70-6
SI1401EDH-T1-GE3的规格信息
SI1401EDH-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:4 A

Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:36 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI1

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:16 S

下降时间:985 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:420 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:1325 ns

典型接通延迟时间:160 ns

零件号别名:SI1401EDH-GE3

单位重量:7.500 mg

供应商SI1401EDH-T1-GE3
SI1401EDH-T1-GE3的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城（深圳）科技有限公司Si1401EDH-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI1401EDH-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司Si1401EDH-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI1401EDH-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司Si1401EDH-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SI1401EDH-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI1401EDH-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SI1401EDH-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI1401EDH-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI1401EDH-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI1401EDH-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SI1401EDH-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI1401EDH-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI1401EDH-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司Si1401EDH-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司Si1401EDH-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI1401EDH-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si1401EDH-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市科思奇电子科技有限公司Si1401EDH-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI1401EDH-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
SI1401EDH-T1-GE3及相关型号的PDF资料
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SI1401EDH-T1-GE3MOSFET -12V Vds 10V Vgs SC70-6Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO265.50 Kbytes共12页SI1401EDH-T1-GE3的PDF下载地址无
SI1401EDH-T1-GE3MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO262.68 Kbytes共12页SI1401EDH-T1-GE3的PDF下载地址无
SI1401EDH-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：34mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.8W(Tc) 类型：P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO264.36 Kbytes共12页SI1401EDH-T1-GE3的PDF下载地址无
SI1401EDH-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SI1401EDH-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -12V 34mOhm@4.5V 4A P-Ch G-III3000+:￥1.0099
6000+:￥0.95
15000+:￥0.88
30000+:￥0.8399
75000+:￥0.8201
150000+:￥0.781+:￥2.44
10+:￥1.83
100+:￥1.36
500+:￥1.15
1000+:￥1.0099
3000+:￥0.97
6000+:￥0.97
9000+:￥0.89
24000+:￥0.873000+:￥1.071+:￥1.1601
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI1401EDH-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -12V 34mOhm@4.5V 4A P-Ch G-III3000+:￥1.0099
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24000+:￥0.873000+:￥1.07
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI1401EDH-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -12V 34mOhm@4.5V 4A P-Ch G-III3000+:￥1.0099
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30000+:￥0.8399
75000+:￥0.8201
150000+:￥0.78
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI1401EDH-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 4A SC70-6$0.43000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI1401EDH-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -12V 34mOhm@4.5V 4A P-Ch G-III3000+:￥1.0099
6000+:￥0.95
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30000+:￥0.8399
75000+:￥0.8201
150000+:￥0.781+:￥2.44
10+:￥1.83
100+:￥1.36
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1000+:￥1.0099
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6000+:￥0.97
9000+:￥0.89
24000+:￥0.87
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI1401EDH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -12V Vds 10V Vgs SC70-61:¥3.2318
10:¥2.4973
100:¥1.8645
500:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.07576
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SI1401EDH-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -12V 34mOhm@4.5V 4A P-Ch G-III3000+:￥1.0099
6000+:￥0.95
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30000+:￥0.8399
75000+:￥0.8201
150000+:￥0.781+:￥2.44
10+:￥1.83
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3000+:￥0.97
6000+:￥0.97
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24000+:￥0.873000+:￥1.071+:￥1.16011+:￥1.14
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SI1401EDH-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：34mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.8W(Tc) 类型：P沟道1+:￥1.6427
10+:￥1.2296
30+:￥1.1538
100+:￥1.045563
500+:￥1.012874
1000+:￥0.996675
SI1401EDH-T1-GE3的相关型号
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