系列：TrenchFET®
FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：600mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.4nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：280mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：480 毫欧 @ 600mA，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-70，SOT-323
封装形式Package：SC-70-3
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：30V
连续漏极电流ID：600mA
漏源极导通电阻RDS(ON)：480mOhms
栅源极阀值电压VGS(th)：1Vto3V
无铅情况/RoHs：否