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SI1302DL-T1-E3 /Single N-Channel 30 V 0.48 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SC-70-3
SI1302DL-T1-E3的规格信息
SI1302DL-T1-E3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：600mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.4nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：280mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：480 毫欧 @ 600mA，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-70，SOT-323

封装形式Package：SC-70-3

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：600mA

漏源极导通电阻RDS(ON)：480mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SI1302DL-T1-E3
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15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI1302DL-T1-E3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
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深圳市斌腾达科技有限公司SI1302DL-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI1302DL-T1-E3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳诚思涵科技有限公司SI1302DL-T1-E3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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SI1302DL-T1-E3及相关型号的PDF资料
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SI1302DL-T1-E3MOSFET 30V N-CH TRENCHVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO218.84 Kbytes共9页SI1302DL-T1-E3的PDF下载地址无
SI1302DL-T1-E3MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO215.66 Kbytes共9页SI1302DL-T1-E3的PDF下载地址无
SI1302DL-T1-E3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：600mA 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：480mΩ @ 600mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：280mW 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO217.34 Kbytes共9页SI1302DL-T1-E3的PDF下载地址无
SI1302DL-T1-E3SI1302DL-T1-E3 N-channel MOSFET Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-323Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO215.66 Kbytes共9页SI1302DL-T1-E3的PDF下载地址无
SI1302DL-T1-E3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI1302DL-T1-E3Siliconix / VishaySI1302DL-T1-E3 N-channel MOSFET Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-323+3000:$0.22
+6000:$0.22
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+30000:$0.20
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Arrow(艾睿)		SI1302DL-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 0.64A3000+:￥0.9901
6000+:￥0.94
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25+:￥2.50013000+:￥0.8399
9000+:￥0.820150+:￥2.29
200+:￥2.06
500+:￥1.66
1000+:￥1.251+:￥1.23
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI1302DL-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 0.64A3000+:￥0.9901
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		SI1302DL-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 0.64A3000+:￥0.9901
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10+:￥2.97
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SI1302DL-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 0.64A3000+:￥0.9901
6000+:￥0.94
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150000+:￥0.741+:￥2.55
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10+:￥2.97
25+:￥2.50013000+:￥0.8399
9000+:￥0.8201
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI1302DL-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs SC70-31:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.9549
500:¥1.6159
3,000:¥1.1413
6,000:查看
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI1302DL-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 0.64A3000+:￥0.9901
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RS(欧时)		SI1302DL-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 0.64A3000+:￥0.9901
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立创商城		SI1302DL-T1-E3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：600mA 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：480mΩ @ 600mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：280mW 类型：N沟道1+:￥1.6345
10+:￥1.2455
30+:￥1.1741
100+:￥1.069619
500+:￥1.038773
1000+:￥1.023544
SI1302DL-T1-E3的相关型号
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