SE30P50
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W 类型:P沟道
SE30P50的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A
栅源极阈值电压2.2V @ 250uA
漏源导通电阻7mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)90W
类型P沟道
SE30P50
SE30P50的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | SE30P50 | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W 类型:P沟道 | 1+:¥2.94 10+:¥2.19 30+:¥2.05 100+:¥1.91 500+:¥1.85 1000+:¥1.82
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 立创商城 | SE30P50B | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W 类型:N沟道 | 1+:¥2.89 10+:¥2.14 30+:¥2 100+:¥1.86 500+:¥1.8 1000+:¥1.77
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