SE3080K
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W 类型:N沟道
SE3080K的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)80A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻6.5mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)83W
类型N沟道
SE3080K
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SE3080K | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W 类型:N沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 444.44 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
SE3080K的全球分销商及价格
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 立创商城 | SE3080K | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W 类型:N沟道 | 1+:¥1.0677 10+:¥0.8028 30+:¥0.7541 100+:¥0.7055 500+:¥0.6839 1000+:¥0.6732
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